周度深度整合 · 持仓追踪 / 价格时间序列 / 评级台账
生成时间:2026-08-23 19:10 | 本周文档总数:484份 / 筛选重点:56份 持仓数据来源:PORTFOLIO.md(最后更新:2026-08-20,A股12只/港股4只/美股大号13只+小号3只)
🔍一、本周核心信号
- 8月19日SK海力士董事会批准回购并注销40万亿韩元(约287亿美元)股票,按前收盘价计算约2,407万股、占流通股3.3%,为韩国上市公司史上最大规模注销,8/20起3个月内完成;股东回报目标从FCF的<50%上调至50%+。同日三星电子预告2026年股东回报90~110万亿韩元,Q3现金分红约30万亿。高盛维持SK海力士买入、目标价350万韩元(较现价约150万韩元有+133%空间)。产业链含义:存储厂在高投入期仍产生压倒性股东回报,定价逻辑从「现货报价」转向「长协锁量+客户认证+资本回报率」,美光2026年HBM已售罄、HBM4开始为Vera Rubin批量出货。持仓含义:直接利好美股SKHY(大号103股+小号76股)与MU(12股),间接验证长鑫科技(A股1,076股)扩产逻辑。
- H1收入417.78亿元(+182.5%)、归母净利润136.51亿元(+241.7%);Q2单季收入222.81亿元(+174.6%)、归母净利79.17亿元(+228.2%)。1.6T硅光模块进入规模放量并成为核心增长产品,800G/1.6T合计占光模块收入99.0%,海外收入占比94.8%。最大警示:经营现金流仅17.87亿元(同比-44.5%),现金转化率从80.6%骤降至13.1%,存货198.26亿元(+56.3%)、应收150.92亿元(+137.7%)。7月H股发行净募资528.91亿港元(发售价980港元/股)。瑞银全年模型要求H2经营现金流167.69亿元(=H1的9.4倍),回款是下半年最硬门槛。持仓含义:旭创为A股第一大持仓(300股,8/20浮亏-13.8%),利润表强但现金与回款质量需Q3/Q4验证。
- 韩国关税厅8月1-20日数据:总出口552亿美元(+56.0% YoY),半导体出口260.3亿美元(+198.8% YoY、环比+17.7%),占总出口47.2%;其中内存出口198.7亿美元(环比+25.5%),NAND出口17.51亿美元(环比+81%),SSD出口20.28亿美元(同比+345%)。产业链含义:从超大规模云商→GPU→HBM/DRAM/NAND→计算机设备的整条价值链都在放量,AI周期是韩国出口的核心引擎(剔除半导体后出口仅小幅增长)。持仓含义:SKHY、MU、长鑫科技(DRAM/存储链)基本面获高频数据支撑。
- 全球沉积/蚀刻/测试设备交付周期拉长至24个月,ASML先进光刻机接近2年。应用材料单季营收91亿美元(环比+15%、同比+25%),计划到2028年季度系统产出翻倍;泛林集团2026财年采购义务增速43%(快于营收26%)。台积电CoWoS月产能约9-12万片、英伟达锁定一半以上,台积电开始将CoW前段工序外包OSAT;日月光投控设备投资增至105亿美元(+98%),安靠计划亚利桑那70亿美元先进封装厂。中国7月半导体设备进口+9%(后道+35%、引线键合机+61%)。持仓含义:设备链景气扩散,利好A股半导设备ETF(101,100股)、科创半导设备ETF(60,600股)、中科飞测(200股);美股LRCX/AMAT虽未持仓但为关注对象。
- DDR4/DDR5现货价连续第18周上涨(周初+2%),1Tb NAND芯片环比+10%,DRAM现货价较2017年10月历史高点高9倍、韩国NAND现货为一年前7倍。但反面信号明确:DDR4现货成交量低迷、买方抵抗,512Gb TLC晶圆现货仅+0.39%(21.208美元)、消费成交弱。需求破坏开始:宏碁预计H2 PC出货下降超20%,华硕预期8-9月收入逐月回落,小米通过提价+产品组合调整吸收成本;AI服务器涨价15%+(2027年初交付,存储占BOM已达25-40%)。持仓含义:存储链(SKHY/MU/长鑫/兆易)高端逻辑仍强,但需警惕消费级需求破坏向传统DRAM传导。
- 摩根大通分析谷歌与Marvell的权证结构:58,970,907股、行权价206.58美元,其中57,610,040股分240档业绩归属,每累计5亿美元合格收入解锁一档,全部归属对应累计1,200亿美元合格收入。这并非核心TPU订单,而是「TPU周边Attach芯片」供应(推理加速器、存储控制器、NIC、内存接口、近内存计算),博通长期TPU合作仍延续至2031年。产业链含义:谷歌定制硅从单一供应商走向多供应商体系,「生态扩容」强于「替代叙事」;市场传闻AMD参与谷歌第10代TPU未证实。持仓含义:MRVL(小号43股)获得潜在催化但兑现需看量产与收入确认节奏。
- 磷化铟(InP)衬底自去年Q4起已提价3次,Q4预期第4次涨价>10%(创历史最大涨幅),供应商称「即使有钱也未必拿得到」;200G EML光芯片是主要瓶颈,供需或至2028年平衡。SK海力士与KAIST在《自然·电子学》发表CPO技术路线图(架构意图,非商业发布);英伟达验证在Rubin Ultra Portia交换板导入PTFE混合覆铜板(生益科技主导开发逾一年、沪电股份已交付样品)。Rosenblatt称光通信订单可见性已延伸至2028年。持仓含义:A股旭创的NPO/XPO期权、上游InP/EML涨价或先压缩模块毛利;生益科技虽已清仓(8/20)但PTFE进展值得跟踪。
- 亚马逊/微软/谷歌/Meta/甲骨文2026年AI资本开支估算接近8,000亿美元,2027年计算设备占比升至约64%;4家云厂商云业务剩余履约义务+积压订单合计约2.3万亿美元;前9大科技公司表外承诺约3万亿美元(约为账面租赁负债+长期债务的3倍)。新云融资加速:Nebius拟发行45亿美元可转债(与微软5年协议约174亿美元、新泽西园区300→350MW),CoreWeave与Hudson River Trading签数十亿美元多年协议并获首批Vera Rubin使用权。持仓含义:NBIS(大号6+小号32股)收入弹性大但融资稀释与利率敏感;BE、CLS等AI基建二线持续受益。
📊二、价格数据时间序列(本周重点)
| 指标 | 上周(08-16) | 本周(08-22) | 周变化 | 趋势判断 |
|---|---|---|---|---|
| H100租赁价格 ($/GPU·时) | 2.88 | 2.70 | -6.3% | 回落企稳(8/17低点2.63后修复) |
| H200租赁价格 ($/GPU·时) | 3.28 | ~3.12 | -4.9% | 回落,仍高于8月初2.63 |
| LLM Token支出(日度实采指数) | 1.02 | 1.06(周中高点1.08) | +3.9% | 连续上升,需求弹性仍在 |
| Wafer现货 256Gb TLC NAND(7日涨幅) | +17.5% | +17.5%(30日+44.7%) | 持平高位 | 强势,60日+42.0% |
| Wafer现货 512Gb TLC NAND ($) | ~20.5(估) | 21.208(8/21) | +0.39%周涨幅 | 缓涨,三周累计+11.6% |
| DRAM DDR4/DDR5现货价 | 连涨16周 | 连涨18周(周初+2%) | +2% | 强势,较2017年10月高点高9倍 |
| 1Tb NAND芯片 | — | 环比+10% | +10% | 供应限制推高报价 |
| HBM4单价(Cantor FMS调研) | — | 32~40美元/GB | — | 按客户差异化定价 |
| 64GB DDR5 Server DRAM ASP | — | Q3'25以来累计+6x | — | 服务器DDR弹性最强 |
| 韩国半导体出口(8/1-20) | — | 260.3亿美元(+198.8% YoY) | — | 环比+17.7%,占比47.2% |
| 存储占AI服务器BOM | ~15% | 25%~40% | 显著提升 | 2027年初AI服务器涨价15%+ |
数据来源:404K每日「LLM Token支出·GPU租赁价格」「存储价格涨跌幅」追踪图(8/17-8/23);DRAMeXchange;韩国关税厅。注:上周H100/H200取8/16读数,本周取8/22-23最新读数。
💼三、持仓个股一周动态
A股(PORTFOLIO 8/20:12只)
中际旭创(300308,300股,第一大持仓,8/20浮亏-13.8%)
- 2026中报落地:Q2归母净利79.17亿元(+228.2%)、收入222.81亿元(+174.6%);1.6T硅光模块进入规模放量
- ⚠️ 经营现金流仅17.87亿元(转化率13.1%),存货+56.3%、应收+137.7%;海外收入占比94.8%
- 7月H股发行净募资528.91亿港元(发售价980港元/股),35%研发/30%扩产/15%供应链/15%投资
- 瑞银全年模型:H2需完成收入678.82亿元(+62.5%)、经营现金流167.69亿元(H1的9.4倍)
- 股价动态:8/22媒体「利润激增2.4倍、Zayo锁定康宁长期光纤」,AI服务器涨价15%预期利多
澜起科技(688008,882股,浮盈+50.2%)
- 本周无直接研报信号;CXL/DDR5双寡头逻辑受益于Vera Rubin机架内存分层(SoCAMM/CMX eSSD扩容)
长鑫科技(688825,1,076股,浮盈+10.7%)
- 路透:考虑在北京亦庄建设第二座12英寸DRAM工厂,正与地方政府讨论资金支持(申请≥6,000万元补贴)
- 7月完成86亿美元IPO(中国大陆半导体史上最大),DRAM产能约300千WPM、HBM约50千WPM,良率超90%
- 与长江存储(推进A股上市)共同彰显中国存储扩产雄心;8/20长江存储成全球第三大NAND供应商
中科飞测(688361,200股,浮亏-4.4%)
- 半导体设备量测/检测受益:设备交期24个月、CoWoS外包OSAT、100亿韩元级HBM检测设备订单出现(Pemtron)
安集科技(688019,200股,平)
- CMP浆料等耗材逻辑:韩国材料厂Q2营收利润率普遍改善(Dongjin +17.5%、SoulBrain +36.3%),HBM胶黏剂清洗剂需求增
中钨高新(000657,800股,浮盈+287%)
- 钨/硬质合金无直接新信号;刀具与PCB钻针逻辑受PCB涨价周期(报价上调5-30%)间接支撑
云南锗业(002428,1,000股,浮盈+1.2%)
- InP(磷化铟)严重短缺、Q4涨价>10%的报道持续发酵,锗/铟/磷化铟产业链关注度上升($AXTI 8月+59%)
罗博特科(300757,200股,平)
- 无直接信号;光模块/半导体自动化设备属性,受益光模块扩产(旭创资本承诺88亿元+员工+43%)
ETF:半导设备ETF(159516,101,100股)/ 科创芯片ETF(588200,56,600股)/ 科创半导设备ETF(588710,60,600股)
- 设备链景气扩散+芯片自主可控主线:中国7月设备进口+9%、中芯国际93.7%利用率Q3提价、全球设备交期24个月
创新药HK(159570,82,200股,浮盈+3.0%)
- 与半导体主线无关,本周无新增信号
港股(PORTFOLIO 8/20:4只)
长飞光纤光缆(06869,1,000股,浮亏-32%左右)
- 侧向利好:Zayo锁定康宁长期光纤供应,光纤光缆供需紧张信号延续;AI数据中心对光纤需求旺盛
兆易创新(03986,200股,浮亏-7%左右)
- 存储链直接受益:NAND/eSSD涨价周期,韩国NAND出口环比+81%、SSD出口同比+345%验证存储需求
MINIMAX-W(00100,220股,浮盈+6.2%于8/20)
- AI应用/大模型方向,Anthropic ARR 650亿→OpenAI Q2 67亿等大模型商业化数据密集发布
ASMPT(00522,200股,浮亏-8%左右)
- 先进封装设备受益:CoWoS外包OSAT、日月光设备投资+98%、HBM检测设备订单;SK海力士CPO路线图利好封装设备链
美股(大号13只+小号3只,8/18数据)
SKHY SK海力士ADR(大103股+小76股) ⭐本周核心
- 40万亿韩元回购注销(韩国史上最大),股东回报FCF 50%+;GS维持买入350万韩元(+133%)
- Barclays:增持,目标价300美元;崔泰源:2027年短缺达峰、持续至2030年
- 圣何塞HBM设计团队强化定制化;考虑日本宫城建厂(数十万亿韩元级);CPO路线图登Nature Electronics
MU 美光(大号12股)
- UBS维持Buy 1,625美元(新加坡管理层会议「攀越忧虑之墙」);BofA维持Buy 1,550美元并纳入US 1 List
- CEO Sanjay Mehrotra密集受访:「内存是AI战略基础设施,非大宗商品」;2026 HBM售罄、HBM4批量出货;数据中心客户需求满足率<50%
- Boise 500亿美元扩建(两座新厂+100亿研发实验室);UBS估算2028年累计FCF 4,000-4,500亿美元支撑回购
- 股价:8/20前后较历史高点低21%,8月存储成本却涨60%
TSM 台积电(13股)
- 亚利桑那厂区Q2营收450亿新台币(+145% YoY、环比+17%),占台积电总营收4%
- A16制程验证背面供电(SPR架构);三星1.4nm推迟至2029,台积电A14领先一年
- 微软收到首批量产版Vera Rubin系统;AI服务器涨价15%利好代工ASP
MRVL Marvell(小号43股)
- 谷歌权证分析:1,200亿美元合格收入上限(240档、每5亿解锁1档),TPU周边Attach芯片而非核心TPU
- EETimes:统一内存解耦组合(Bravera SC6/Structera CXL/Photonic Fabric),Meta已部署CXL扩展
NBIS Nebius(大6+小32股)
- 拟发行45亿美元可转债(最大单笔债务融资,年内累计融资110亿+);与微软5年协议约174亿美元
- 新泽西园区300→350MW;分析师提示可转债+预付款模式在现货费率恶化时更脆弱
INTC 英特尔(10股)
- 马来西亚70亿美元Project Pelican先进封装园区投产;HBM流向马来西亚(13亿美元 vs 台湾<30亿)
- EMIB-T(带TSV+MIM,面向HBM4/UCle 32Gbps);x86服务器CPU份额65.5%(Q2,同比-7.3pct)
AVGO 博通(5股)
- Q3交付108亿美元AI芯片、订单>300亿美元、可见度至2028;谷歌TPU长期合作延续至2031
- 分析师称「未来五年最具投资确信度的公司之一」
COHR Coherent(5股)
- 光通信需求旺盛:Rosenblatt称订单可见性至2028,CPO/NPO导入顺利;BofA光收发器市场2030年454亿美元
BE Bloom Energy(11股)
- 燃料电池受益AI数据中心供电缺口;Leopold Aschenbrenner基金Q2持有BE 9.6%(13F)
CLS Celestica(7股)/ S(60股)/ ALAB(2股)/ TQQQ(60股)/ IBKR(3.27股)
- 无直接新增信号;ALAB受益PCIe/CXL高速互连(Arm预计1GW数据中心CPU核心需求3,000万→1.2亿个)
🏦四、投行评级变化台账(本周全部)
| 日期 | 机构 | 标的 | 评级变化 | 目标价 | 要点 |
|---|---|---|---|---|---|
| 08-17 | UBS | 美光MU | 维持Buy | 1,625美元 | 新加坡管理层会议:短期忧虑墙,长期内存价值重估 |
| 08-17 | BofA | 美光MU | 维持Buy,纳入US 1 List | 1,550美元 | SNDK-like假设下2030财年EPS可达236美元(vs 市场一致136) |
| 08-17 | Bernstein | 闪迪SNDK | Outperform(维持) | 3,000美元 | NAND短缺持续+大规模回购强化看涨逻辑 |
| 08-18 | UBS | 英伟达NVDA | 前瞻(未改评) | — | F2Q营收预计940-950亿(超一致预期30-40亿),F3Q指引1070-1080亿 |
| 08-18 | 摩根大通 | 铠侠 | 关注上调 | — | 美光/闪迪100% FCF回报推动投资者关注铠侠股东回报 |
| 08-19 | Jefferies | 英伟达NVDA | 目标价上调 | 345美元 | 28x FY27E/FY28E EPS;F3Q指引约1080亿、Rubin约50万units |
| 08-19 | Cantor | SK海力士 | — | — | FMS 2026:HBM4不同客户价格32-40美元/GB |
| 08-20 | 高盛GS | SK海力士 | 维持Buy | 350万韩元(+133%) | 40万亿回购+注销;25-27年FCF约252万亿韩元,55%回报率下仍有70万亿额外回购空间 |
| 08-20 | Barclays | SK海力士ADR | 增持(维持) | 300美元 | 股东回报可达市值15%;即使客户降内存配比供需仍紧 |
| 08-20 | 摩根大通 | Marvell-谷歌 | 事件分析 | — | 权证1200亿合格收入上限=情景上限非承诺;TPU生态扩容 |
| 08-20 | KB证券 | 三星电子 | 维持乐观 | — | 247,500韩元=宏观过度反应;CAPEX回收期<3年、云容量已订至2028 |
| 08-20 | 野村 | 存储器(MU/SNDK/SKHY/三星/铠侠) | 月度特别报告 | — | 摩尔定律放缓+EUV成本+供给阶梯式投放→周期更持久 |
| 08-20 | Meritz证券 | 存储 | 上调信心 | — | 2028年DRAM短缺趋势更清晰;HBM挤占产能约3倍 |
| 08-20 | 台湾本土法人 | 富乔(1815) | 强力买进 | — | 高阶玻纤材料供不应求,26-27年获利连续创高 |
| 08-20 | Rosenblatt | 光通信(Lumentum/AAOI/COHR/VIAV/MRVL) | 看多 | — | 需求远超供应,订单可见性至2028年(CY28) |
| 08-20 | Edgewater | 英伟达存储 | — | — | 英伟达或与SK海力士/美光签DRAM+HBM长协;2027 HBM需求预测31-33B→27-29B颗 |
| 08-21 | HSBC | HBM(MU/SKHY/三星) | 看多 | — | HBM市场25-28年CAGR 70%,2028年达1,960亿美元 |
| 08-23 | UBS(引述) | 美光MU | — | — | 2027-2028年累计FCF或超4,000-4,500亿美元,支撑大规模回购 |
🔗五、产业链关键信号
存储(HBM/DRAM/NAND/eSSD)
- HBM:美光2026 HBM售罄、HBM4批量出货(带宽>2.8TB/s、能效+20%);HBM4E价格较HBM4高70-100%;HSBC预计HBM市场2028年1,960亿美元(CAGR 70%);HBM比特出货2024→2027年增长4.5倍(6,000→27,000百万2GB当量)
- DRAM:现货连涨18周、8月环比+8%;Meritz称2028短缺更清晰;HBM消耗晶圆面积约为普通DRAM的3-4倍
- NAND/eSSD:前五大厂商Q2营收688.7亿美元(环比+77%);企业级SSD位元占比48%(一年前26%);韩国NAND出口环比+81%、SSD出口同比+345%;SK海力士/闪迪发布HBF开放规范(0.4-3.0TB/s带宽)
- 架构:Vera Rubin机架=20.7TB HBM4 + 54TB SoCAMM + 9.6PB CMX eSSD(576个企业级SSD);内存从GPU旁扩散至整机架
光模块/CPO
- SK海力士CPO路线图登《自然·电子学》(架构意图非商业发布);英伟达CPO交换机量产(2026E 1.5万units、2027E 10万units)
- InP衬底Q4连续第4次涨价>10%(历史最大涨幅);200G EML瓶颈至2028年平衡
- BofA:AI光收发器市场2025年126亿美元→2030年454亿美元;Rosenblatt:订单可见性至2028
- 纵向扩展(scale-up)带宽约为横向扩展10倍,2029年市场从40亿→170亿美元(CAGR 34%)
半导体设备
- 沉积/蚀刻/测试设备交期24个月、ASML近2年;AMAT营收91亿(+25%)、2028年产能翻倍;Lam采购义务+43%
- 韩国干法/等离子蚀刻进口超3亿美元(HBM TSV驱动),湿法仅2000-4000万美元
- 台积电CoWoS月产能9-12万片、英伟达锁定过半;CoW前段外包OSAT;日月光设备投资105亿(+98%)
- 长电科技展示TSV工艺:孔径1.5μm/间距5μm/深度17μm
PCB/覆铜板/材料
- 英伟达验证PTFE混合覆铜板用于Rubin Ultra Portia交换板(PTFE核心层+M9半固化片):生益科技主导开发逾一年、沪电股份交付样品
- PCB厂商年内报价上调5-30%,CCL厂商H1上调20-30%,H2-2027逐季提价压力持续
- ABF载板进入卖方市场:2028年缺口扩大至19%;高端电子级玻纤布供给紧张,富乔获强力买进评级
- MLCC:AI服务器高容/高压产品交期达10个月,消费级产能挤出
超大规模云商CAPEX
- 五大CSP 2026年AI资本开支接近8,000亿美元;2027年计算设备占比约64%(历史55%)
- 云积压订单2.3万亿美元;表外承诺3万亿美元(约为账面负债3倍);谷歌8110亿采购承诺(+116%)
- 微软收到首批量产Vera Rubin;英伟达对OpenAI俄亥俄园区提供最高1,050亿美元信用支持(20年8GW租约)
- 亚马逊路易斯安那投资120亿→180亿美元;Meta核电目标1.2GW(Oklo Aurora反应堆)
上游涨价信号
- InP:Q4涨价>10%(连续第4次),外延片连续第3次
- MLCC:高端交期10个月;村田/京瓷订单创历史新高
- 功率半导体:第3轮涨价,台湾厂10月起非合约+10-15%(H1均价+15-20%);意法半导体第3次提价(8/23生效,汽车MCU+15-20%)
- 800VDC:英伟达/谷歌/微软/O'CP合作开发标准,80+公司参与;SiC营收2025→2031年1.5亿→15亿美元
- 存储占BOM:AI服务器中内存占比升至25-40%,2027年初系统涨价15%+
⚠️六、风险提示
- 现货虚高+成交背离:DDR4现货成交量低迷、买方抵抗;消费级NAND仅+0.39%,现货价已透支部分预期
- 终端需求破坏:宏碁预计H2 PC出货-20%+、华硕预期收入逐月回落、企业手机10%涨价有1成转二手——若PC/手机大幅削量,传统DRAM与客户端SSD先承压
- HBM规格降配风险:Rubin Ultra是否阶段性从288GB降至192GB HBM4e的讨论升温(BofA认为是暂时瓶颈)
- 融资成本与表外负担:10年期美债收益率接近4.7%;Nebius 45亿美元可转债、CoreWeave高收益债利率10%——利率上行会先冲击新云厂商和高杠杆项目
- 交易拥挤度:52%基金经理认为半导体是最拥挤交易;半导体ETF连续3周净流出约63亿美元(截至7月累计流入750亿后首次降温);历史统计期内选举年8月中-10月中标普500回撤概率近90%
- 中际旭创现金质量:经营现金流转化率仅13.1%,若H2回款不及预期将压制利润倍数
- OpenAI训练暂停:最大规模RL训练暂停、算力转向对齐/监控(监控成本约推理算力的20%),远期大集群训练需求节奏存变数
🎯七、下周关注清单(3-5条)
- 英伟达财报(F2Q,预计8月底):Jefferies目标价345美元、瑞银前瞻940-950亿营收;重点关注Rubin爬坡节奏、内存/光学规格与5,000亿美元融资平台(本周最重要验证点)
- Hot Chips 2026(8/23-25,斯坦福):三星/SK海力士首日展示HBM4技术路线(I/O 2048引脚、热密度/翘曲方案),HBM4E认证进度
- SK海力士印第安纳州封装厂奠基(8/27) + 日本宫城Fab传闻验证,全球存储资本开支地理再布局
- 三星电子股东回报细则:Q3现金分红30万亿韩元执行、2027年1月剩余60-80万亿方案(分红vs回购注销比例)
- 中际旭创Q3经营验证:1.6T出货斜率、应收/存货增速、经营现金流回补(全年模型要求H2现金流167.69亿元);旭创中报后首个完整交易周情绪修复
- 存储终端削量数据:PC ODM订单、手机容量配置、企业SSD位元占比是否维持48%,验证「高端紧、消费弱」分化是否恶化
📎八、附录:本周重点文档清单
| # | 文档标题 | 日期 | 类型 | 一句话摘要 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 404K Semi-Ai 2026-08-21 AI产业链周报 | 08-21 | 404K自主 | 扩张走向兑现:算力承诺8000亿美元、互连与供电约束升温 |
| 2 | 404K Semi-Ai 2026-08-21 存储周报 | 08-21 | 404K自主 | 紧张外溢:长协锁量扩散至SoCAMM与eSSD,下周看终端削量 |
| 3 | 404K Semi-Ai 2026-08-21 半导体设备周报 | 08-21 | 404K自主 | 供给约束扩散:设备交期拉至24个月,订单与认证决定兑现 |
| 4 | 404K Semi-Ai 2026-08-21 M7与CSP周报 | 08-21 | 404K自主 | 承诺锁定:云订单推高算力建设,表外负担与新云融资待验证 |
| 5 | 01_中际旭创2026中报深度 | 08-21 | 404K自主 | Q2归母79.17亿+228%,529亿港元融资,现金转化13.1%警示 |
| 6 | UBS_美光管理层会议纪要 | 08-17/18 | 外资投行 | 攀越忧虑之墙,维持Buy 1625;HBM毛利率上行 |
| 7 | BofA_美光SNDK-like EPS测算 | 08-17/18 | 外资投行 | 2030财年EPS可达236美元,纳入US 1 List |
| 8 | Bernstein_闪迪 | 08-18 | 外资投行 | Outperform 3000美元,NAND短缺+回购 |
| 9 | GS_SK海力士40万亿回购点评 | 08-20 | 外资投行 | 维持Buy 350万韩元,+133%上行 |
| 10 | Barclays_SK海力士ADR | 08-20 | 外资投行 | 增持300美元,股东回报约市值15% |
| 11 | JPM_谷歌-MRVL权证分析 | 08-20 | 外资投行 | 1200亿合格收入上限、240档归属,生态扩容 |
| 12 | HSBC_HBM市场展望 | 08-23 | 外资投行 | 25-28年CAGR 70%,2028年1960亿美元 |
| 13 | 韩国8月1-20日出口数据(半导体+198.8%) | 08-21 | 资讯汇总 | 半导体占出口47.2%,内存198.7亿美元 |
| 14 | 存储价格涨跌幅日图(8/17-8/23) | 本周 | 价格数据 | 256Gb TLC 7日+17.5%、DDR5连涨18周 |
| 15 | LLM Token支出·GPU租赁价格日图 | 本周 | 价格数据 | H100 2.70$/时、Token支出指数1.06 |
| 16 | SK海力士CPO路线图(Nature Electronics) | 08-20 | 资讯汇总 | 光互连从芯片扩至机架,架构意图非商业发布 |
| 17 | 英伟达验证PTFE(Rubin Ultra Portia板) | 08-21 | 资讯汇总 | 生益主导开发、沪电交付样品 |
| 18 | 美光CEO CNBC访谈「内存是战略基础设施」 | 08-20/21/22 | 资讯汇总 | 2026 HBM售罄、HBM4批量出货、Boise 500亿扩建 |
| 19 | SK海力士回购后KOSPI大涨6.3% | 08-20 | 资讯汇总 | 韩国股市资金流验证:外资+5761亿韩元 |
| 20 | InP衬底Q4涨价>10%(连续第4次) | 08-17 | 资讯汇总 | 200G EML瓶颈至2028年,光互连材料先行 |